检测IGBT好坏简便方法:
1、判断极性。首先将万用表拨在R&TImes;1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏。将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)。
这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡,因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
如果IGBT为好的,IGBT模块测量数据为零。
扩展资料
检测IGBT好坏时在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;而且要注意安全。
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
参考知识1 测量IGBT模块以识别它的好坏:1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡 以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针指在无穷处.用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置.然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回到无穷处.此时即可判断IGBT 是好的.
注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G).
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏. 参考知识B 二极管档来测大约在540左右 参考知识C IGBT,最好是不要测,找好的渠道,保证货源!
一般测IGBT,主要是打耐压,注意IGBT的耐压值是脉冲电压!
一般的耐压仪都是直流,因此测试建议不要超过标定值!而且建议抽检
因为原装原厂IGBT出厂是100%检测过的,也就是说他们打过一次脉冲电压
再打一次耐压,多少对IGBT会有一定的寿命损伤! 参考知识D g极对c极均为无穷大
c极对e有二极管电阻本回答被提问者和网友采纳
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